
Silizium & SiC > Halbleiterwafer
Die Halbleiterbranche verlangt Silizium- und Siliziumkarbid-Wafer mit konstanten Maßtoleranzen und akzeptabler Dickenvariabilität. Diese Spezifikationen wirken sich direkt auf Ausbeute und Performance von integrierten Schaltungen und Leistungselektronik aus. Unsere Diamantseilsägemaschine schneidet Silizium- und SiC-Ingots mit 0,35–0,6 mm Diamantseil bei gesteuerten Vorschubgeschwindigkeiten. Das Nassschneidverfahren hält moderaten Substrattemperaturen während des Betriebs und minimiert thermische Belastung. CNC-Mehrachsensteuerung gewährleistet gute Parallelität und gleichmäßige Dicke sowie Oberflächengüte für anschließende Bearbeitung. Diese Fähigkeiten ermöglichen hohe Wafer-Ausbeute, verringern Materialverlust gegenüber Slurry-Verfahren und beschleunigen die Produktionszyklen. Hersteller erzielen messbare Vorteile in der Produktionseffizienz und erfüllen die Anforderungen für Halbleiterbauteile und Leistungselektronik.

















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